一  MOS管定义：          

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

二  MOS管的分类：

按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管 ；

按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型 ；

在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主，所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种 ；

三  MOS选型的主要参数：

1.  BVDSS ：对于不同方案，产品耐压值方面的选择有着不同的标注与余量，但是从整体来看，无论何种应用环境，其产品耐压至少应留有20%以上的电压余量；

2.  IDSS ：一般情况下，对于应用产品不会直接的依据产品的额定电流进行选型，其一：额定电流为25℃下的理想电流值，实际应用电流会远小于额定电流值。其二：限定产品电流的主要原因为内部芯片温度，温度越高，电流值越小，所以额定电流值 在一定程度上没有直接选型价值；

3.  RDS (on)）：表示MOS管处于导通状态时漏极和源极之间的电阻；

4.  总栅极电荷（QG）：表示栅极驱动器打开/关闭器件所需的电荷；

5.  品质因数（FoM）：是RDS (on) 和QG的乘积，影响MOSFET的传导损耗和开关损耗；

6.  VTH 也是较为重要的一个参数，在特殊场合，如单节锂电池保护板、磷酸铁锂电池太阳能控制器上，要考虑电压欠压下产品是否可正常工作，故Vth不得高于1.5V；而高频电源上，由于频率与特性影响，一般VTH既不能过低，低于1.5，否则引起栅极振荡误导通，又不能过高大于3V，增加开关损；。

7.  Trr  同步整流MOS，其体二极管参数Trr也是一个较为重要的因素，Trr过大，会导致死区时间过小，前级高压管与同步整流MOS同时导通，发生MOS失效。须特殊方案特殊对待；

8.以及封装/热阻依据产品应用环境、方案体积、客户需求进行实际选择，而封装类型会影响产品热阻进而影响产品实际内阻、电流选择。

四  MOS管的应用：

1. 开关电源中应用，主要做能量转换和电压调节;

2. MOS管用作模拟开关通过调节通过对栅极电压调节控制通断状态，实现模拟信号的开关选择;

3. 数字逻辑：MOS管在数字电路中广泛应用，例如作为逻辑门、存储器单元等;

4. MOS管可以用作开关，通过调节栅极电压来控制通断状态。这在数字电路、电源管理、电机驱动等方面非常常见。

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包括SOT-23、SOT23-6、SOT323、SOT523、SOT723及DFN3X3、DFN5X6、T0-252、TO-263、TO-247 等系列封装。                      

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